之前关于模电教材上浅浅掠过的一个量：饱和管压降 $U_{CES}$（或者 $U_{CE}(sat)$）有诸多疑问，查了许多资料在这里给出自己的理解。
到底什么叫饱和区
上图是一个基本共射放大电路，工作在放大区时（发射结正偏、集电结反偏） $I_C$ 可以受到 $I_B$ 控制，且近似满足 $I_C=\overline{\beta}I_B$，即具有一个倍数放大关系，那么当 $I_B$ 增大引起 $I_C$ 增大时，电阻 $R_c$ 的分压也会增大，导致集电极电位降低，所以 $I_C$ 增大的代价是集电极电位降低。故而必然 $I_B$ 增大到某个值时会导致 $U_c \le U_b$，即书上说的 饱和区，如果电流继续增大，则 $i_C < \overline{\beta}i_B$，不再满足原本的放大关系。
那 TM 为啥还有一个饱和管压降？？
因为书上的是近似理论分析，根据查找到的资料[1]，我们可以拿一张实际的特性表来分析
这是 9013 的特性表，我们可以看到共射直流放大系数 $\overline\beta$ （$H_{FE}$）其实会受到 $I_C$ 大小的影响，并且实际饱和是一个过程，之前根据 $U_b,U_c$ 大小比较所获得的临界态其实是一个初始饱和状态，之后增大 $I_B$，$I_C$ 仍会继续增大，并且仍然满足一定的比例关系。
注意：饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应该属于深饱和了。
所以，在另一种近似分析下，并不将 $U_b=U_c$ 当做临界饱和，而是将另一个位置（$U_{CE}=U_{CES}$）当做临界饱和态。
从做题的角度，如果没给 $U_{CES}$，则将 $U_{CE}=U_{BE}$ 当做临界饱和，如果给了 $U_{CES}$ 则将 $U_{CS}=U_{CES}$ 当做临界饱和。
补兑，集电极正偏那电流为啥还是反着的
谁说电流一定从高电位流向低电位，我能量又不一定从这里的电场来